Holmarc的霍尔效应设备（型号：HO-ED-EM-06）采用***的模块和组件设计。数字显示用于所有值的读出。电磁体，高斯计，电源等被设计和制造为单独的模块，以使学生轻松了解设备和所涉及的原理。在设备设计中应充分考虑**性
该系统由两个dan药筒组成，每个dan药筒都装有“ p”和“ n”掺杂的锗晶体。dan药筒可轻松**地插入D连接器系统。霍尔效应设置提供样品的所有操作参数，并显示霍尔电压，样品电流以及样品温度。掺杂的锗样品用于测量霍尔电压，该电压是样品电流，磁通密度和样品温度的函数。
在电磁铁的两*之间引入高斯计探头。将电流从零更改为*大值，然后从*大值更改为零。注意高斯计在不同时间间隔的相应场强。绘制图表磁场Vs电流。
半导体中的电子只有在获得足够的热能以达到导通状态时才可以进行导电。这使得载流子浓度高度依赖于温度。
将样品控制探针连接到霍尔效应控制，然后打开霍尔效应设置。以相等的间隔使样本电流从零变化到*大值。注意相应的霍尔电压读数。绘制图表，霍尔电压作为采样电流的函数。
我们从等式中获得载流子密度，
n = [ 1 / ( RH e ) ] c m3
我们从等式中获得了运营商流动性
µ = RH . σ c m2 Volt-1 sec-1
其中σ是材料的电导率
霍尔电压V H是由于洛伦兹力引起的运动电荷载流子在磁场中的偏转所引起的，洛伦兹力的方向可以通过右手定则进行预测。因子 1 /（NE）被称为霍尔系数[R ħ。
RH = ( VH / B ) x ( d/IH ) c m3 Coulomb-1
B-磁通密度
I H-通过半导体的电流
d-导体厚度
n-载流子浓度