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氮化硅(N型,未掺杂)模板(100nm)在Si(111)N型P掺杂上,5x5x0.279mm,1sp R:1-10 ohm.cm

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  • 产品名称:氮化硅(N型,未掺杂)模板(100nm)在Si(111)N型P掺杂上,5x5x0.279mm,1sp R:1-10 ohm.cm
  • 产品型号:GaN
  • 产品展商:MTI
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简单介绍

硅上的GaN模板是通过基于氢化物气相外延(HVPE)的方法制成的。在HVPE过程中,HCl与熔融的Ga反应形成GaCl,然后与NH3反应形成GaN。硅上的GaN模板是替换GaN单晶衬底的一种经济有效的方法。 规格: GaN标称厚度:0.1μm±0.1μm 前表面光洁度(Ga面):<1nm RMS,生长, 背面处理:硅(111)N型P掺杂R:1-10 ohm.cm GaN方向:C平面(00.1) *性:Ga面 导电类型:未掺杂(N-)和电阻率:<0.05 Ohm-cm 宏观缺陷密度:<1 / cm ^ 2 晶圆底座:硅[111],5x5x0.279mm,一侧抛光 Ť 这里是〜200nm的AlN缓冲硅和GaN层之间

产品描述

硅上的GaN模板是通过基于氢化物气相外延(HVPE)的方法制成的。在HVPE过程中,HCl与熔融的Ga反应形成GaCl,然后与NH3反应形成GaN。硅上的GaN模板是替换GaN单晶衬底的一种经济有效的方法。

规格: 
  • GaN标称厚度:0.1μm±0.1μm
  • 前表面光洁度(Ga面):<1nm RMS,生长,
  • 背面处理:硅(111)N型P掺杂R:1-10 ohm.cm
  • GaN方向:C平面(00.1)
  • *性:Ga面
  • 导电类型:未掺杂(N-)和电阻率:<0.05 Ohm-cm
  • 宏观缺陷密度:<1 / cm ^ 2
  • 晶圆底座:硅[111],5x5x0.279mm,一侧抛光
  • Ť 这里是〜200nm的AlN缓冲硅和GaN层之间 
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