硅上的GaN模板是通过基于氢化物气相外延(HVPE)的方法制成的。在HVPE过程中,HCl与熔融的Ga反应形成GaCl,然后与NH3反应形成GaN。硅上的GaN模板是替换GaN单晶衬底的一种经济有效的方法。